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第八百九十五章 湿法蚀刻

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“这是你们设计的方案?”

王中军将手里的文件翻的哗哗作响,边看边忍不住皱起了眉头来。

“用腐蚀剂的各向同性来制作探针,你们考虑过这里面的工作量吗?”

“使用可控制侵蚀速度的硝酸和氢氟酸,我们计算过可能的配比,至少要做上千组实验。”

钟大华的声音没有多少波动,昨晚吴牧提出这个思路之后,他们俩就已经通过代理公司搜集了相关的信息,但情况却有些出人意料。

在美国的数据库里,并没有与这个思路相关的技术。

事实上从八十年代起,湿法蚀刻在美国就已经属于落后技术了。随着制程技术的提高,现在业界主流已经是干法蚀刻更胜一筹,因为干法蚀刻的各向异性更好,芯片的成品率自然更高。

也就是说在湿法蚀刻这个路线上,业界并没有走到尽头就更换了路线。

美国人技术比较先进,八十年代之后制程技术发展到微米级,为了克服湿法蚀刻的缺点,应用材料公司直接推出了干法蚀刻的PVD技术,干脆另开炉灶了!干法蚀刻是用等离子体直接撞击晶圆,从化学反应变成了物理反应,干脆没有各向同性的问题了。

当然,后来干法蚀刻的物理性蚀刻也不能满足需求,于是业界又把湿法蚀刻捡回来了。但那也是利用离子蚀刻机将化学腐蚀剂离子化之后,在PECVD基础上搞的湿法蚀刻。

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